Влияние модификаторов

  • От :
  • Категории : Без рубрики

HgSe-GeSe2 system // Internation Workshop "Physics and Technology of Nanostructured, Multicomponent Materials". — Uzhgorod.- 1998.- P. 75. Ворошилов Ю., Мотря С., Семрад Е. Физико-химическое исследование системы Hg — Ge-Se. Укр. хим. журн. — 1994. — Т.60, №2. — С. 128-132. Parasyuk OV, Gulay LD, Romanyuk Ya.E., Olekseyuk ID, Piskach LV The Ag2Se-HgSe-GeSe2 system and crystal structures of the compounds // J. Alloys. Comp. — 2003. — V.351 / 1-2. — P.135-144. Мотря С. Ф., Ворошилов Ю. В., Поторий М. В., Семрад Е.Е. Фазовые равновесия в системах Ge (Sn) Se2-HgSe // Укр. хим. журн. — 1986. — Т.52, №8. — С. 807-809. Abe S. Interband absorption spectra of disordered semiconductors in the coherent potential approximation // J. Phys. Soc. Japan. — 1980. — Vol.49. — Suppl.A, P. 1179-1182. Abe S., Toyozawa Yu. Interband absorption of disordered semiconductors in the coherent potential approximation // J. Phys. Soc. Japan.- 1981.- Vol.50, №7. — P. 2185-2194. Парасюк А.В., Олексеюк И.Д., Марчук А.В. Фазовые равновесия в системах Cu2Si (Ge, Sn) Se3 -HgSe // Укр. хим. журнальчик.- 1998.- Т.64, №9.- С. 20-23.
Галян В.В. Влияние модификаторов (HgSe, Cu 2 Se) на физические свойства стекловидного диселениду германия. — Рукопись.
Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников и диэлектриков. — Волынский государственный университет имени Леси Украинский, Луцк, 2003. Диссертация посвящена исследованию структуры некоторых оптических и электрофизических свойств стеклообразных сплавов GeSe2, модифицированных HgSe и Cu2Se. На основе кривых рассеяния рентгеновских лучей рассчитывался структурный фактор и функция радиального распределения атомной плотности стекловидного сплавов системы HgSe — GeSe2. Для этих сплавов впервые вычислено средние межатомные расстояния и координационные числа. Исследования показали, что в сплавах, которые находятся близко к границе области стеклообразования, с содержанием модификатора HgSe (52,54), существуют кристаллические микронеоднородности. Установлено, что спектральная зависимость оптического поглощения a (hn) образцов, в области фундаментального поглощения, описывается правилом Урбаха. Обнаружено явление термоиндукованого оптического затмение в сплавах системы HgSe-GeSe2. На основе зависимости электропроводности от температуры s (Т) установлены механизмы проводимостей и их изменение при изменении компонентного состава
Ключевые слова: стекловидные сплавы, модификатор, структурный фактор, функция радиального распределения атомной плотности, фундаментальное поглощение, электропроводность.
Галян В.В. Влияние модификаторов (HgSe, Cu 2 Se) на физические свойства стеклообразного диселенида германия.- Рукопись. Диссертация на Соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников и диэлектриков. — Волынский государственный университет имени. Леси Украинки, Луцк, 2003. Диссертация посвящена исследованию структуры, Некоторых оптических, электрофизических свойств стеклообразных сплавов GeSe2 модифицированых HgSe и Cu2Se. Синтез сплавов проходил методом закаливания с расплава. На основании кривых рассеивания рентгеновских лучей рассчитан структурный фактор и функция радиального распределения атомной плотности стеклообразных сплавов системы HgSe-GeSe2. Для ЭТИХ сплавов впервые рассчитаны средние межатомные расстояния в пределах первой и второй координационных сфер, координационные числа в пределах первой координационной сферы. Исследования показали, что в сплавах, Которые находятся близко к границе области Стеклообразование, при составе модификатор HgSe (52,54), существуют кристаллические микронеоднородностей, оценочные размеры их составляют близко 5нм. Установлено: спектральная зависимость оптического поглощения a (hn) образцов, в области фундаментального поглощения, определяется правилом Урбаха, при увеличении содержания модификаторов HgSe, Cu2Se энергия оптической ионизации уменьшается, введение модификатор HgSe свыше 42мол.% Сопровождается сменой знака (b) температурного коефициента изменения ширины енергетической щели. Зафиксировано явление термоиндуцированного оптического затемнения в сплавах системы HgSe-GeSe2. Высокая размытость края оптического поглощения в стеклах HgSe (42) -GeSe2 (58), и Cu2Se (4) -HgSe (23) -GeSe2 (73) интерпретируется, согласно с диаграммой состояния, одновременным формированием структурных единиц. На основании зависимости электропроводимости от температуры установлены механизмы проводимостей и их смена при изменении компонентного состава. В стеклообразных сплавах системы HgSe GeSe2 модификация Cu2Se вызывает рост фотопроводимости.
Ключевые слова: стеклообразный сплавы, модификатор, структурный фактор, функция радиального распределения атомной плотности, фундаментальное поглощение, электропроводимость.
Halyan VV The effect of modifiers (HgSe, Cu 2 Se) on the physical properties of glass-like germanium diselenide.

HgSe-GeSe2 system // Internation Workshop "Physics and Technology of Nanostructured, Multicomponent Materials". — Uzhgorod.- 1998.- P. 75. Ворошилов Ю., Мотря С., Семрад Е. Физико-химическое исследование системы Hg — Ge-Se. Укр. хим. журн. — 1994. — Т.60, №2. — С. 128-132. Parasyuk OV, Gulay LD, Romanyuk Ya.E., Olekseyuk ID, Piskach LV The Ag2Se-HgSe-GeSe2 system and crystal structures of the compounds // J. Alloys. Comp. — 2003. — V.351 / 1-2. — P.135-144. Мотря С. Ф., Ворошилов Ю. В., Поторий М. В., Семрад Е.Е. Фазовые равновесия в системах Ge (Sn) Se2-HgSe // Укр. хим. журн. — 1986. — Т.52, №8. — С. 807-809. Abe S. Interband absorption spectra of disordered semiconductors in the coherent potential approximation // J. Phys. Soc. Japan. — 1980. — Vol.49. — Suppl.A, P. 1179-1182. Abe S., Toyozawa Yu. Interband absorption of disordered semiconductors in the coherent potential approximation // J. Phys. Soc. Japan.- 1981.- Vol.50, №7. — P. 2185-2194. Парасюк А.В., Олексеюк И.Д., Марчук А.В. Фазовые равновесия в системах Cu2Si (Ge, Sn) Se3 -HgSe // Укр. хим. журнальчик.- 1998.- Т.64, №9.- С. 20-23.

Галян В.В. Влияние модификаторов (HgSe, Cu 2 Se) на физические свойства стекловидного диселениду германия. — Рукопись.

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников и диэлектриков. — Волынский государственный университет имени Леси Украинский, Луцк, 2003. Диссертация посвящена исследованию структуры некоторых оптических и электрофизических свойств стеклообразных сплавов GeSe2, модифицированных HgSe и Cu2Se. На основе кривых рассеяния рентгеновских лучей рассчитывался структурный фактор и функция радиального распределения атомной плотности стекловидного сплавов системы HgSe — GeSe2. Для этих сплавов впервые вычислено средние межатомные расстояния и координационные числа. Исследования показали, что в сплавах, которые находятся близко к границе области стеклообразования, с содержанием модификатора HgSe (52,54), существуют кристаллические микронеоднородности. Установлено, что спектральная зависимость оптического поглощения a (hn) образцов, в области фундаментального поглощения, описывается правилом Урбаха. Обнаружено явление термоиндукованого оптического затмение в сплавах системы HgSe-GeSe2. На основе зависимости электропроводности от температуры s (Т) установлены механизмы проводимостей и их изменение при изменении компонентного состава

Ключевые слова: стекловидные сплавы, модификатор, структурный фактор, функция радиального распределения атомной плотности, фундаментальное поглощение, электропроводность.

Галян В.В. Влияние модификаторов (HgSe, Cu 2 Se) на физические свойства стеклообразного диселенида германия.- Рукопись. Диссертация на Соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников и диэлектриков. — Волынский государственный университет имени. Леси Украинки, Луцк, 2003. Диссертация посвящена исследованию структуры, Некоторых оптических, электрофизических свойств стеклообразных сплавов GeSe2 модифицированых HgSe и Cu2Se. Синтез сплавов проходил методом закаливания с расплава. На основании кривых рассеивания рентгеновских лучей рассчитан структурный фактор и функция радиального распределения атомной плотности стеклообразных сплавов системы HgSe-GeSe2. Для ЭТИХ сплавов впервые рассчитаны средние межатомные расстояния в пределах первой и второй координационных сфер, координационные числа в пределах первой координационной сферы. Исследования показали, что в сплавах, Которые находятся близко к границе области Стеклообразование, при составе модификатор HgSe (52,54), существуют кристаллические микронеоднородностей, оценочные размеры их составляют близко 5нм. Установлено: спектральная зависимость оптического поглощения a (hn) образцов, в области фундаментального поглощения, определяется правилом Урбаха, при увеличении содержания модификаторов HgSe, Cu2Se энергия оптической ионизации уменьшается, введение модификатор HgSe свыше 42мол.% Сопровождается сменой знака (b) температурного коефициента изменения ширины енергетической щели. Зафиксировано явление термоиндуцированного оптического затемнения в сплавах системы HgSe-GeSe2. Высокая размытость края оптического поглощения в стеклах HgSe (42) -GeSe2 (58), и Cu2Se (4) -HgSe (23) -GeSe2 (73) интерпретируется, согласно с диаграммой состояния, одновременным формированием структурных единиц. На основании зависимости электропроводимости от температуры установлены механизмы проводимостей и их смена при изменении компонентного состава. В стеклообразных сплавах системы HgSe GeSe2 модификация Cu2Se вызывает рост фотопроводимости.

Ключевые слова: стеклообразный сплавы, модификатор, структурный фактор, функция радиального распределения атомной плотности, фундаментальное поглощение, электропроводимость.

Halyan VV The effect of modifiers (HgSe, Cu 2 Se) on the physical properties of glass-like germanium diselenide.

физико-химическое исследование системы hg,электрофизических свойств стеклообразных сплавов,волынский государственный университет имени,диссертация посвящена исследованию структуры,одновременным формированием структурных единиц,энергия оптической ионизации уменьшается,увеличении содержания модификаторов hgse,пределах первой координационной сферы,введение модификатор hgse свыше,температуры установлены механизмы проводимостей

Комментариев нет

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Планы мероприятий
Игра викторина по ЭКОЛОГИИ-10 класс

  Цель игры «Викторина по экологии» : углубить экологические знания Весь класс разбит на четыре команды по 6 человек. Время обдумывания ответа -1 минута. Ведущий читает высказывания великих людей с паузами , там , где пропущены слова. Команды должны вставить эти слова «Оценивать … только по стоимости её материальных богатств- …

Задания
Хирургия и Реаниматология. Тесты. Методическое пособие

Тестовые задания. Хирургия и Реаниматология.   Профилактика хирургической инфекции. Инфекционная безопасность в работе фельдшера   Обезболивание   Кровотечение и гемостаз   Переливание крови и кровозаменителей, инфузионная терапия   Десмургия   Ведение больных в полеоперационном периоде   Синдром повреждения. Открытые повреждения мягких тканей. Механические повреждения костей, суставов и внутренних органов   …

Планы занятий
Профориентационный тест Л.А. Йовайши на определение склонности человека к тому или иному роду деятельности

ПРОФЕССИЯ – это вид трудовой деятельности человека, который требует определенного уровня знаний, специальных умений, подготовки человека и при этом служит источником дохода. Профессиональная принадлежность – одна из важнейших социальных ролей человека так как, выбирая профессию, человек выбирает себе не только работу, но и определенные нормы, жизненные ценности и образ жизни, …