Программа государственного экзамена по направлению подготовки бакалавров

  • От :
  • Категории : Без рубрики

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
ГОСУДАРСТВЕННОГО ЭКЗАМЕНА ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ
БАКАЛАВРОВ
550700 ”ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА”
Раздел 1 Материалы и элементы электронной техники.
Физическая природа электропроводности металлов. Законы Ома, Джоуля-Ленца, Видемана-Франца. Металлы с высокой электрической проводимостью.
Влияние примесей и структурных дефектов на удельное сопротивление металлов. Металлические сплавы, зависимость электрических свойств от состава.
Электропроводность тонких металлических пленок, размерные эффекты. Взаимосвязь электрических свойств со структурой и толщиной пленок.
Явление сверхпроводимости и основные свойства сверхпроводящих материалов. Наиболее характерные применения сверхпроводников.
Статистика носителей заряда в собственном и примесном полупроводниках. Модельные представления электропроводности полупроводников.
Основные механизмы рассеяния электронов и дырок в полупроводниках. Температурная зависимость подвижности носителей заряда.
Влияние температуры на удельную проводимость полупроводников, роль примесей и дефектов структуры.
Основные механизмы рекомбинации носителей заряда в полупроводниках. Понятие о времени жизни и диффузионной длине неравновесных носителей заряда.
Классификация полупроводниковых материалов, краткая характеристика их свойств и наиболее характерные применения.
Виды деформационной и релаксационной поляризации диэлектриков.
Природа диэлектрических потерь и основные параметры, их характеризующие. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями.
Закономерности пробоя газов и твердых диэлектриков. Основные признаки и условия проявления различных механизмов пробоя.
Активные и пассивные диэлектрики, их классификация по составу, строению и свойствам. Наиболее характерные области применения.
Физическая природа ферромагнитного состояния вещества. Влияние температуры на магнитные свойства материалов.
Раздел 2 Вакуумная и плазменная электроника
Вторичная электронная эмиссия. Распределение электронов по скоростям
Явления на границе металл-вакуум. Работа выхода электронов. Действие электрического поля на работу выхода. Закон, определяющий термоэлектронную эмиссию
Термоэлектронные катоды. Основные параметры термокатодов. Сравнение различных типов термокатодов, используемых в вакуумных приборах
Триодное управляющее устройство. Коэффициент управления, распределение электронов по скоростям.
Основные процессы в газовом разряде. Виды разрядов, ВАХ
Понятие плазма и ее параметры: дебаевский радиус экранирования, ленгмюровская частота соударений
Раздел 3 Твердотельная электроника
Выпрямляющий контакт металл-полупроводник. Энергетическая диаграмма контакта, ВАХ.
Омический контакт металл-полупроводник.
Свойства контакта p – n (p – n переход).
Выпрямляющий диод на основе p – n перехода
Туннельный диод. Структура, основные характеристики
Конструкция и принцип действия биполярного транзистора
Основные режимы работы биполярного транзистора. Схема с общей базой
Структура и принцип действия тиристора
Структура и принцип действия МДП транзистора с индуцированным n-каналом. Основные характеристики. Пороговое напряжение
Структура и принцип действия полевого транзистора с затвором Шоттки (ПТШ)
Основные типы полупроводниковых фотоприемников. Конструкция, основные характеристики
Полевые транзисторы с управляющим p – n переходом
Быстродействие полевых МДП транзисторов
Гетероструктура – особенности и основные свойства. Свойства полевых транзисторов на основе гетероструктур
Раздел 3 Микроэлектроника
Основные этапы производства (изготовления) полупроводниковой интегральной схемы
Обоснование преимущества цифровых интегральных схем на основе комплементарных полевых транзисторов (КМДП)/ Принципы конструирования.
Примеры схемотехнических решений ИС на КМДП транзисторах. Логические схемы. Элементы памяти.
Современные тенденции развития полупроводниковых интегральных схем. Закон Мура.
Физические ограничения на уменьшение размеров активных элементов ИС и ограничение степени интеграции. Оптимальное напряжение питания ИС. Эффект электромиграции. Роль длительности задержки сигнала на связях между элементами ИС.
Технологические ограничения на уменьшение размеров активных элементов ИС и ограничение степени интеграции. Предельные возможности фотолитографии. Формообразующие характеристики легирования.
Принцип действия приборов с зарядовой связью (ПЗС). Ввод и вывод носителя информации в активную среду ПЗС.
Основные свойства и характеристики полупроводниковых гетеропереходов. Выбор оптимальной пары для получения гетероперехода. Технологические методы получения гетеропереходов.
Использование полупроводниковых гетеропереходов для получения эффекта сверхинжекции. Применение названного явления в ИС.
Основные компоненты и характеристики интегральных схем СВЧ диапазона (0.1 – 100 ГГц)
Конструктивные особенности малошумящих полевых транзисторов СВЧ диапазона (0.1 – 100 ГГц). Определение эффективной шумовой температуры СВЧ транзисторного усилителя
Раздел 5. Квантовая и оптическая электроника
Спонтанное и вынужденное излучение. Коэффициенты Эйнштейна.
Принцип работы квантовых усилителей и генераторов. Инверсия населенностей.
Двух-, трех- и четырехуровневые схемы работы лазеров.
Оптические резонаторы. Их особенности и основные типы
Свойства лазерного излучения. Гауссовы пучки
Нестационарная лазерная генерация. Модуляция добротности и синхронизация мод
Особенности электронного спектра полупроводников А3В5 и их твердых растворов
Полупроводниковые гетеропереходы и инжекционная электролюминесценция
Газоразрядные лазеры. Особенности и основные типы
Твердотельные и жидкостные лазеры
Светоизлучающие диоды. Особенности и основные характеристики
Полупроводниковые лазеры с раздельным электронным и оптическим ограничением
Технические характеристики и основные типы фотоприемников. Фотодиоды
Особенности оптических методов передачи и обработки информации
Волоконно-оптические линии связи.
Председатель учебно-методического советапо направлению 550700 “Электроника и микроэлектроника”, Председатель Государственной экзаменационной комиссии,
профессор, д.т.н. Ю.А. Быстров

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
ГОСУДАРСТВЕННОГО ЭКЗАМЕНА ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ

БАКАЛАВРОВ

550700 ”ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА”

Раздел 1 Материалы и элементы электронной техники.

  1. Физическая природа электропроводности металлов. Законы Ома, Джоуля-Ленца, Видемана-Франца. Металлы с высокой электрической проводимостью.
  2. Влияние примесей и структурных дефектов на удельное сопротивление металлов. Металлические сплавы, зависимость электрических свойств от состава.
  3. Электропроводность тонких металлических пленок, размерные эффекты. Взаимосвязь электрических свойств со структурой и толщиной пленок.
  4. Явление сверхпроводимости и основные свойства сверхпроводящих материалов. Наиболее характерные применения сверхпроводников.
  5. Статистика носителей заряда в собственном и примесном полупроводниках. Модельные представления электропроводности полупроводников.
  6. Основные механизмы рассеяния электронов и дырок в полупроводниках. Температурная зависимость подвижности носителей заряда.
  7. Влияние температуры на удельную проводимость полупроводников, роль примесей и дефектов структуры.
  8. Основные механизмы рекомбинации носителей заряда в полупроводниках. Понятие о времени жизни и диффузионной длине неравновесных носителей заряда.
  9. Классификация полупроводниковых материалов, краткая характеристика их свойств и наиболее характерные применения.
  10. Виды деформационной и релаксационной поляризации диэлектриков.
  11. Природа диэлектрических потерь и основные параметры, их характеризующие. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями.
  12. Закономерности пробоя газов и твердых диэлектриков. Основные признаки и условия проявления различных механизмов пробоя.
  13. Активные и пассивные диэлектрики, их классификация по составу, строению и свойствам. Наиболее характерные области применения.
  14. Физическая природа ферромагнитного состояния вещества. Влияние температуры на магнитные свойства материалов.

Раздел 2 Вакуумная и плазменная электроника

  1. Вторичная электронная эмиссия. Распределение электронов по скоростям
  2. Явления на границе металл-вакуум. Работа выхода электронов. Действие электрического поля на работу выхода. Закон, определяющий термоэлектронную эмиссию
  3. Термоэлектронные катоды. Основные параметры термокатодов. Сравнение различных типов термокатодов, используемых в вакуумных приборах
  4. Триодное управляющее устройство. Коэффициент управления, распределение электронов по скоростям.
  5. Основные процессы в газовом разряде. Виды разрядов, ВАХ
  6. Понятие плазма и ее параметры: дебаевский радиус экранирования, ленгмюровская частота соударений

Раздел 3 Твердотельная электроника

  1. Выпрямляющий контакт металл-полупроводник. Энергетическая диаграмма контакта, ВАХ.
  2. Омический контакт металл-полупроводник.
  3. Свойства контакта p – n (p – n переход).
  4. Выпрямляющий диод на основе p – n перехода
  5. Туннельный диод. Структура, основные характеристики
  6. Конструкция и принцип действия биполярного транзистора
  7. Основные режимы работы биполярного транзистора. Схема с общей базой
  8. Структура и принцип действия тиристора
  9. Структура и принцип действия МДП транзистора с индуцированным n-каналом. Основные характеристики. Пороговое напряжение
  10. Структура и принцип действия полевого транзистора с затвором Шоттки (ПТШ)
  11. Основные типы полупроводниковых фотоприемников. Конструкция, основные характеристики
  12. Полевые транзисторы с управляющим p – n переходом
  13. Быстродействие полевых МДП транзисторов
  14. Гетероструктура – особенности и основные свойства. Свойства полевых транзисторов на основе гетероструктур

Раздел 3 Микроэлектроника

  1. Основные этапы производства (изготовления) полупроводниковой интегральной схемы
  2. Обоснование преимущества цифровых интегральных схем на основе комплементарных полевых транзисторов (КМДП)/ Принципы конструирования.
  3. Примеры схемотехнических решений ИС на КМДП транзисторах. Логические схемы. Элементы памяти.
  4. Современные тенденции развития полупроводниковых интегральных схем. Закон Мура.
  5. Физические ограничения на уменьшение размеров активных элементов ИС и ограничение степени интеграции. Оптимальное напряжение питания ИС. Эффект электромиграции. Роль длительности задержки сигнала на связях между элементами ИС.
  6. Технологические ограничения на уменьшение размеров активных элементов ИС и ограничение степени интеграции. Предельные возможности фотолитографии. Формообразующие характеристики легирования.
  7. Принцип действия приборов с зарядовой связью (ПЗС). Ввод и вывод носителя информации в активную среду ПЗС.
  8. Основные свойства и характеристики полупроводниковых гетеропереходов. Выбор оптимальной пары для получения гетероперехода. Технологические методы получения гетеропереходов.
  9. Использование полупроводниковых гетеропереходов для получения эффекта сверхинжекции. Применение названного явления в ИС.
  10. Основные компоненты и характеристики интегральных схем СВЧ диапазона (0.1 – 100 ГГц)
  11. Конструктивные особенности малошумящих полевых транзисторов СВЧ диапазона (0.1 – 100 ГГц). Определение эффективной шумовой температуры СВЧ транзисторного усилителя

Раздел 5. Квантовая и оптическая электроника

  1. Спонтанное и вынужденное излучение. Коэффициенты Эйнштейна.
  2. Принцип работы квантовых усилителей и генераторов. Инверсия населенностей.
  3. Двух-, трех- и четырехуровневые схемы работы лазеров.
  4. Оптические резонаторы. Их особенности и основные типы
  5. Свойства лазерного излучения. Гауссовы пучки
  6. Нестационарная лазерная генерация. Модуляция добротности и синхронизация мод
  7. Особенности электронного спектра полупроводников А3В5 и их твердых растворов
  8. Полупроводниковые гетеропереходы и инжекционная электролюминесценция
  9. Газоразрядные лазеры. Особенности и основные типы
  10. Твердотельные и жидкостные лазеры
  11. Светоизлучающие диоды. Особенности и основные характеристики
  12. Полупроводниковые лазеры с раздельным электронным и оптическим ограничением
  13. Технические характеристики и основные типы фотоприемников. Фотодиоды
  14. Особенности оптических методов передачи и обработки информации
  15. Волоконно-оптические линии связи.

Председатель учебно-методического советапо направлению 550700 “Электроника и микроэлектроника”, Председатель Государственной экзаменационной комиссии,

профессор, д.т.н. Ю.А. Быстров

омический контакт металл-полупроводник,принцип действия мдп транзистора,основе комплементарных полевых транзисторов,принцип действия полевого транзистора,направлению подготовки бакалавров электроника,принцип работы квантовых усилителей,четырехуровневые схемы работы лазеров,свойства контакта p n,председатель государственной экзаменационной комиссии,модельные представления электропроводности полупроводников

Комментариев нет

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Планы мероприятий
Игра викторина по ЭКОЛОГИИ-10 класс

  Цель игры «Викторина по экологии» : углубить экологические знания Весь класс разбит на четыре команды по 6 человек. Время обдумывания ответа -1 минута. Ведущий читает высказывания великих людей с паузами , там , где пропущены слова. Команды должны вставить эти слова «Оценивать … только по стоимости её материальных богатств- …

Задания
Хирургия и Реаниматология. Тесты. Методическое пособие

Тестовые задания. Хирургия и Реаниматология.   Профилактика хирургической инфекции. Инфекционная безопасность в работе фельдшера   Обезболивание   Кровотечение и гемостаз   Переливание крови и кровозаменителей, инфузионная терапия   Десмургия   Ведение больных в полеоперационном периоде   Синдром повреждения. Открытые повреждения мягких тканей. Механические повреждения костей, суставов и внутренних органов   …

Планы занятий
Профориентационный тест Л.А. Йовайши на определение склонности человека к тому или иному роду деятельности

ПРОФЕССИЯ – это вид трудовой деятельности человека, который требует определенного уровня знаний, специальных умений, подготовки человека и при этом служит источником дохода. Профессиональная принадлежность – одна из важнейших социальных ролей человека так как, выбирая профессию, человек выбирает себе не только работу, но и определенные нормы, жизненные ценности и образ жизни, …